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IGBT封裝形式
- 分類：行業動態
- 作者：
- 來源：
- 發布時間：2021-09-06
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【概要描述】一是TO標準塑封模塊結構，此結構較簡單，成本也較低，主要是單芯片或一個IGBT何一個二極管等兩種形式，但是這種封裝形式的熱循環壽命有限。
IGBT封裝形式
【概要描述】一是TO標準塑封模塊結構，此結構較簡單，成本也較低，主要是單芯片或一個IGBT何一個二極管等兩種形式，但是這種封裝形式的熱循環壽命有限。
- 分類：行業動態
- 作者：
- 來源：
- 發布時間：2021-09-06
- 訪問量：0
目前IGBT主要有以下幾種封裝形式：
一是TO標準塑封模塊結構，此結構較簡單，成本也較低，主要是單芯片或一個IGBT何一個二極管等
兩種形式，但是這種封裝形式的熱循環壽命有限。
二是工業/汽車級標準功率模塊結構，目前來看，只要功率超過幾個千瓦以上，都會采用這種模塊
封裝的形式，其特點是散熱好，功率循環和熱循環壽命相對較好，且工藝相比其他形式更為成熟，
成本相對適中。
三是壓接式IGBT，這種封裝方式沒有焊層、引線鍵合，它最大的特點是功率容量大，擁有更高的安
全工作區（SOA），且具有失效短路特性，適用于串聯應用、可以承受較高電壓，但是工藝較為復
雜，成本較高。
上一個:
碳化硅性能突出，是寬禁帶半導體核心材料
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