特大功率IGBT測試系統：IGBT測試系統難點是什么？

IGBT是用于功率變換和頻率變換的功率半導體器件，相當于電力電子領域的“CPU”。BJT和MOSFET的性能優勢具有高電阻、大電流、低導通損耗的特點，隨著工藝的升級，芯片面積、寬工藝線、功耗、周轉時間、開關功耗都在下降。其主要應用包括傳統的工業控制和家電，以及新興的電動汽車和新能源發電，那么特大功率IGBT測試系統：IGBT測試系統難點是什么？

特大功率IGBT測試系統：IGBT測試系統難點是什么？

1.由于IGBT是一個多入口設備，測試需要多個測量模塊。

2.og的漏電流越小越好，所以測試需要高精度的器件。

3.千兆比特的動態電流范圍很大。測試時需要大型模塊，量程可以自動切換測試。

4.由于IGBT工作在強電流下，自熱效應明顯，脈沖測試可以降低自熱效應。因此，在評估期間，MOSFET需要進行脈沖IV測試自加熱特性。

5.MosFet的電容曲線是其特性表征的重要內容，與其高頻應用密切相關。所以IGBT的電容測試非常重要。

6.GBT開關的特性非常重要，需要雙極動態參數。

特大功率IGBT測試系統：大功率IGBT靜態參數測試系統介紹是什么？

1.電力設備靜態參數測試系統集成了多種測量和分析功能。它可以精確測量功率器件電壓可高達3KV，電流可高達4KA。該系統可以測量不同封裝類型功率器件的靜態參數，具有高電壓大電流特性、U級電阻、精確測量PA級電流等特點。支持測量高壓模式下的電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

2.它是由BJT（雙極三極管）和MOS（絕緣柵場效應管）組成的復合型全控壓驅動半導體器件。它的輸入極是MOSFET，輸出極是PNP晶體管。MOS輸入達靈頓。它綜合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點，具有易于驅動、峰值電流能力、自翻轉、高開關頻率（10-40 kHz）等特點。

3.它已經逐漸取代了碎晶管，是目前發展很快的新一代電力電子器件。廣泛應用于小體積、高效率的逆變電源、電機調速、UPS和逆變焊機。

4.IGBT的開關功能是通過在柵極電壓上加正來形成溝道，為PNP晶體管提供基極電流，以驅動IGBT。相反，增加反向門電壓以消 除溝道，切斷基極電流，并關閉IGBT。從圖2可以看出，如果在IGBT的柵極和發射極之間加正電壓，MOSFET導通，使PNP晶體管的集電極處于低阻狀態，晶體管導通；檢測需要哪些儀器？

5.IGBT測試難度，因為IGBT是多端口設備，所以需要多個測量模塊來協同測試，漏電流越小越好，所以測試需要高精度的器件，千兆比特的動態電流范圍很大。測試時需要大型模塊，量程可以自動切換測試，由于IGBT工作在強電流下，自熱效應明顯，脈沖測試可以降低自熱效應。因此，在評估期間，MOSFET需要進行脈沖IV測試自加熱特性，電容曲線是其特性表征的重要內容，與其高頻應用密切相關。所以IGBT的電容測試非常重要。

6.IGBT開關對于靜態參數測試，如果IGBT的靜態參數沒有問題，動態參數（開關時間、開關損耗、二極管的二極管反向恢復、續流二極管的二極管）、短路和熱阻。下面是IGBT的靜態參數測試。要執行IGBT靜態參數測試，首先，你要了解什么是靜態IGBT。