IGBT靜態參數測試系統具有節能、安裝維護方便、散熱穩定的特點。目前市場上的模塊化產品通常稱為IGBT模塊；IGBT是能量轉換和傳輸的核心器件，俗稱電子器件的“CPU”。先進技術廣泛應用于軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車和新能源設備。IGBT靜態參數測試系統的故障原因是什么？如何修復？

　　1.過電流會破壞鎖定效果。IGBT靜態參數測試系統是一種帶有寄生晶體管的復合器件。在規定的漏電流范圍內，NPN的正偏壓不足以引導NPN晶體管。NPN晶體管開路，NPN或PNP晶體管飽和。然后寄生晶體管導通，柵極失控，鎖定效應出現。IGBT有鎖定效果后，電極電流過大，導致技能過多，損壞設備。

　　2.長期過度跑步。IGBT靜態參數測試系統長期過流運行是指IGBT運行指標達到或超過當前安全邊界(如選擇錯誤、安全系數小等)在電流達到RBSOA的極限邊界之前，立即關斷器件，以保護器件。

　　3.短路超時是指受到IGBT電流值的限制或超過SCSOA(短路安全工作區)的大邊界。例如，當額定電流為4-5倍時，IGBT在10us內關閉。此時，如果IGBT的大電壓已經超過裝置的標稱值，IGBT將在更短的時間內切斷。

　　4.過電壓損壞和靜電損壞當IGBT靜態參數測試系統被切斷時，由于逆變電路中的電感分量，瞬間產生峰值電壓。如果峰值電壓超過IGBT器件的非常高的峰值電壓，IGBT擊穿將被破壞。IGBT過電壓的危害可分為集電器的電網過電壓、電網導體過電壓、高DU/DT過電壓等。絕大多數過壓保護電路都設計得很好，但是對于高DU/DT引起的過壓故障，基本都是用無用電容或者RCD結構吸收電路。由于吸收電路的吸收能力不足，導致IGBT損壞，所以可以使用電壓鉗。通常使用集電極-柵極和二極管的兩端。當二極管的電壓發生扭曲時，柵極上會疊加一個好的電壓(米勒效應起作用)，避免因集電極極性傳輸的傳遞而損壞IGBT靜態參數測試系統。

5.利用柵極電壓的動態控制，表面上可以解決高DU/DT傳輸的高電壓問題，但其缺點是半橋結構在情緒負載時中斷了IGBT。由于其反合并二極管(續流二極管)的恢復，使得Epitoma的流行病發射端兩端的電壓急劇上升，從而經歷瞬時DU/DT。在大多數情況下，DU/DT值高于正常情況下IGBT棒電壓的電壓增長率。由于密勒電容(CRES)的存在，DU/DT值產生一個瞬時電流，流向柵極驅動電路。電流門電路的阻抗相互作用直接導致門極傳輸電極的電壓值加大，甚至IGBT開口的VGETH值加大。壞情況下，觸發IGBT誤差，導致變壓器橋臂短路。