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SiC材料的物性和特征
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- 發布時間:2022-12-06
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【概要描述】SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)構成的化合物半導體材料。SiC的優點不僅在于其絕緣擊穿場強(Breakdown Field)是Si的10倍,帶隙(Energy Gap)的Si的3倍,而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現必要的P型、N型控制,所以被認為是一種超越Si極限的用于制造功率器件的材料。
SiC材料的物性和特征
【概要描述】SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)構成的化合物半導體材料。SiC的優點不僅在于其絕緣擊穿場強(Breakdown Field)是Si的10倍,帶隙(Energy Gap)的Si的3倍,而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現必要的P型、N型控制,所以被認為是一種超越Si極限的用于制造功率器件的材料。
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