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• 發布時間：2022-12-06
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【概要描述】SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構成的化合物半導體材料。SiC的優點不僅在于其絕緣擊穿場強（Breakdown Field）是Si的10倍，帶隙（Energy Gap）的Si的3倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現必要的P型、N型控制，所以被認為是一種超越Si極限的用于制造功率器件的材料。