碳化硅器件測試儀性能優勢

碳化硅器件測試儀的高速發展優化了功率開關器件的硬電源開關特點，抗壓可以達到數十萬伏，耐高溫達到500℃左右，其性能優勢如下所示：

1、寬禁帶可大幅度減少漏電流，從而降低功率器件消耗

2、高擊穿場強可以提高功率器件抗壓能力和電流強度，減少總體規格

3、高導熱系數能改善耐熱水平，有利于器件排熱，減少降溫設備容積，提升處理速度，提升功率

4、強防輻射水平，比較適合在外星球等輻照度環境下運用。本質上。SiC器件是促進髙壓、持續高溫、高頻率、大功率及防輻射結合的理想化原材料，廣泛應用于功率大的場所，可以實現控制模塊與應用全的微型化、一體化，提升功率和系統高效率

第三代半導體材料因為帶隙大、發光效率高、電子器件飄移飽和狀態速率高、導熱系數高、硬度高、相對介電常數小、物理性質平穩及其防輻射性價比高、耐熱等優點，在亮度對比發光二極管、紫外線—高清藍光激光發生器和紫外線探測儀等光電材料器件及其防輻射、大功率、高頻率、持續高溫、髙壓等電子器件器件域有著運用價值和廣闊的市場前景。在其中碳化硅和氮化鎵為典型性第三代半導體材料。

碳化硅襯底依據導電率來區分，可以分為半絕緣層型襯底（電阻超過1E7Ω?cm）和導電性型襯底。在其中，導電性型碳化硅襯底適合于生長發育碳化硅外延片，廣泛應用于生產制造耐熱、耐高壓的功率器件如IGBT；半絕緣層型碳化硅襯底適合于生長發育氮化鎵外延片，廣泛應用于微波射頻器件等行業。文中淺詳細介紹碳化硅襯底常見精確測量方式。

一、單晶硅片幾何參數精確測量

單晶硅片幾何參數主要包含單晶硅片薄厚、TTV、和BOW/Warp等，一般常見測試標準為電子光學干預法及電容器法。

1）電子光學干預法具備測試速度快，精密度高的特點，機器設備價格比較貴，關鍵被Corning企業所采用，其Tropel系列產品廣泛應用于幾何參數隧道檢測。

測試原理：掠入式干預

2）電容器法幾何參數檢測儀相對性成本低，在單晶硅片襯底里被廣泛采用，對碳化硅襯底也適用。

測試原理：電容器測厚

二、表面缺陷分析

碳化硅襯底的表面缺點有表面顆粒物、刮痕和晶格缺陷等，通常采用碳化硅單晶硅片缺點功能測試。

測試原理：

運用激光器在襯底表面的透射，能夠剖析襯底表面里的顆粒大小和缺點形狀，根據激光器對襯底表面面掃描儀，可以獲得襯底上顆粒和偏差的面分布特征，另外在熒光光譜（PL）程序模塊的支持下，能夠進一步分析襯底內部結構的不足復合型核心，為襯底質量評價給予更專業的信息內容。