熱門關鍵詞：晶體管測試儀 晶體管圖示儀 碳化硅器件測試儀 SiC器件測試儀 雙脈沖測試儀 電壓耐量測試設備 門極絕緣柵單元觸發器實驗儀
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SiC雪崩能力測試儀
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SiC雪崩能力測試儀
用于二極管、三極管、MOS管及IGBT等器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流可達到200A，雪崩電壓測試可達到5000V。設備滿足電壓在5000V及以下范圍內二極管、三極管、MOS管及IGBT等器件的測試需求。計算機系統控制，具有波形顯示功能。
雪崩電壓：50～5000V
50～1500V±3%±2V
1500～3000V±3%±5V
3000～5000V±3%±10V
雪崩電流：0.1～200A
0.1～1A±3%±0.01A
1～10A±3%±0.1A
10～200A±3%±1A
脈沖寬度：1～500Us
雪崩能量：1mJ～10J
測試模式：單脈沖及重復脈沖測試。
測試電壓電流范圍廣，電流0.1～200A，電壓至5000V。
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SiC 功率器件動態參數測試系統
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