一、設備功能

　　適用于傳統硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九大類半導體分立器件全靜態參數測試。

　　二、運行條件

　　溫度：25±5℃

　　相對濕度：<60%，在/或低于30℃

　　通風條件：設備四面距離墻面大于5cm

　　交流電源：220V±10%,47-63Hz，良好的測試儀器接地

　　三，技術性能指標

　　1、主機(柜式)

　　外形尺寸

　　尺寸(mm)：800(寬)╳ 600(長)╳ 1930(高)mm

　　2、可測試器件種類及參數

　?、俣O管：DIODE

　　測試參數：IR、BVR、VF

　?、诰w管：TRANSISTOR(NPN 型、PNP型)

　　測試參數：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

　?、鄯€壓(納)二極管：ZENER

　　測試參數：IR、VZ MIN、VZ MAX、VF

　?、芙Y型場效應管：J-FET(N-溝/P-溝，耗盡型/增強型)

　　測試參數：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS

　?、軲OS 場效應管：POWER MOSFET(N-溝/P-溝)

　　測試參數：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS

　?、奕朔€壓器：REGULATOR(正電壓/負電壓，固定/可變)

　　測試參數：VOUT、IIN

　?、吖怆婑詈掀鳎篛PTO-COUPLER(NPN 型PNP 型)

　　測試參數：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

　?、嗫煽毓枵髌?普通晶閘管)SCR

　　測試參數：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

　?、犭p向可控硅(雙向晶閘管)TRIAC

　　測試參數：IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT

　　1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

　?、饨^緣柵雙極大功率晶體管：IGBT(NPN 型PNP 型)

　　測試參數：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

　?、侠^電器：RELAY

　　測試參數：RCOIL,VOPER,VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME(需加繼電器適配器)

　?、袎鹤冸娮瑁篤ARISTOR

　　測試參數：ID+ ID-、VC+ VC-

　?、堰_林頓陣列：DARLINTON

　　測式參數：ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESAT、VBE(VBEON)