設備功能

適用于傳統硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九大類半導體分立器件全靜態參數測試。

2、運行條件

溫度：25±5℃

相對濕度：<60%，在/或低于30℃

通風條件：設備四面距離墻面大于5cm

交流電源：220V±10%，47-63Hz，良好的測試儀器接地

3、外形尺寸

尺寸（mm）：800（寬）×600（長）×1930（高）

4、可測器件種類

①二極管：DIODE

   測試參數：IR、BVR、VF

②晶體管：TRANSISTOR(NPN 型、PNP型)

   測試參數：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

③穩壓（納）二極管：ZENER

   測試參數：IR、VZ MIN、VZ MAX、VF

④結型場效應管：J-FET(N-溝/P-溝，耗盡型/增強型)

   測試參數：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFS

⑤MOS 場效應管：POWER MOSFET(N-溝／P-溝）

測試參數：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON,VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS

⑥三端穩壓器：REGULATOR(正電壓／負電壓，固定／可變）

測試參數：VOUT、IIN

⑦光電耦合器：OPTO-COUPLER(NPN 型PNP 型）

測試參數：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

⑧可控硅整流器（普通晶閘管）SCR

測試參數：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

⑨雙向可控硅（雙向晶閘管）TRIAC

測試參數：IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+VT-、I GT1/2/3/4、VGT

1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

⑩絕緣柵雙極大功率晶體管：IGBT(NPN 型PNP 型）

測試參數：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

⑾繼電器：RELAY

測試參數：RCOIL,VOPER,VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME(需加繼電器適配器）

⑿壓變電阻：VARISTOR

測試參數：ID+ ID-、VC+ VC-

⒀達林頓陣列：DARLINTON

測式參數：ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESAT、VBE(VBEON)