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碳化硅器件動態參數測試臺

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碳化硅器件動態參數測試臺

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產品描述

參數

適用碳化硅二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時間參數測試。

主要技術參數：

IGBT 開關特性測試

開關時間測試條件

IC:1A~1000A Vce:5V~3500V(可擴展）

Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可調（可選擇4檔及外接）

負載：感性負載阻性負載可切換

電感范圍：100uH,200uH,500uH,1000uH

電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R

IGBT 開關特性測試參數

開通延遲td(on):20nS-10uS

上升時間tr:20nS-10uS

開通能量Eon:0.1-1000mJ

關斷延遲時間td(off):20 nS-10uS

下降時間tf:20nS-10uS

關斷能量Eoff:0.1-1000mJ

二極管反向恢復特性測試

FRD測試條件：

正向電流IF:1A~1000A

反向電壓Vr:5V~3500V

－di/dt:100A/

us~10000A/us;

負載：感性負載可選

電感范圍：100uH,200uH,500uH,1000uH

FRD 測試參數

反向恢復時間trr:20nS-2uS;

反向恢復電荷QC:

10nC~10uC;

反向恢復電流Irm:1A~1000A

反向恢復損耗 Erec:0.1mJ~1000mJ

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無

下一個

無

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