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IGBT動態參數測試系統

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IGBT動態參數測試系統

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參數

半導體分立器件動態測試系統是全智能高速測試系統，可用于1200V/1700V/3300V的IGBT模塊開通時間、關斷時間、快恢復二極

管反向恢復時間、反向電流及反向恢復電荷的測試，通過示波器采集波形，由計算機處理數據并顯示測量結果。

通過配置不同的夾具單元，可實現對不同封裝器件的測試。

技術性能指標

IGBT開關特性測試

開關時間測試條件

Ic:5A~1000A(可擴展）

Vce:10V~3500V(可擴展）

Vgs:-10V~+20V

Rg:1R~100R可調（可選擇4檔及外接）

負載：感性負載阻性負載可切換

電感范圍：100uH,200uH,500uH,1000uH

電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R

IGBT開關特性測試參數

開通延遲td(on):20nS-10uS

上升時間tr:20nS-10uS

開通能量Eon:0.1-1000mJ

關斷延遲時間td(off):20nS-10uS

下降時間tf:20nS-10uS

關斷能量Eoff:0.1-1000mJ

二極管反向恢復特性測試

反向恢復時間trr:20nS-2uS

反向恢復電荷Qc:10nC-10uC

反向恢復電流lrm:5A~1000A

反向恢復損耗Erec：100nJ-10J

IGBT動態參數測試系統，功能可擴展，可根據用戶要求定制

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無

下一個

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