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    SiC動態參數測試系統

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    產品描述
    參數

          適用于SiCFRD,MOSFET(兼容Si基產品)、IGBT模塊、 MOS(兼容Si基產品)等器件的時間參數測試,是目前國內動態參數測試功能最齊全、性能最先進的測試系統。

     測試能力:

    IGBT開關時間測試 

    測試條件: ID1A200A, VDS5V3500V, VGS-10V20V, Rg1R100R 可調(可選擇4擋和外接)

    負載:阻性,感性負載可切換。

    電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH

    電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R

    測試參數

    開通延遲td(on)20Ns – 10uS

    關斷延遲時間tdoff):20Ns – 10uS、

    上升時間tr20Ns – 10uS

    下降時間tf20Ns – 10uS

    開通能量Eon0.11000mJ

    關斷能量Eoff0.11000mJ

     

    二極管反向恢復特性測試

    測試條件:IF1A200A  

    反向電流VR5V3500V

     di/dt100A/us10000A/us

    負載:感性負載可選

    電感范圍:100uH、200 uH、500 uH、1000 uH             

    測試參數: trr0.1nS -200nS

    Qc1nC~100uC

    Irm1A~200A

    Erec0.1uJ1mJ

     

    柵極電荷測試

    測試條件: VDS5V3500V

    ID1A200A

    VGS-10V20V

    測試參數:

    Qgon、Qgd、Qgs1nC~100uC

    Vpl-10V20V

     

    短路電流測試

     

    測試條件:Pulse width1us100us, VDS5V3500V

    測試參數: Peak ID10A~1000A, Delta Vds10V~200V

     

    控制界面:上位機使用Labview界面開發,該程序體現為人機交互界面,作為測試平臺的交互系統,通過與示波器、主控板等設備通訊,實現對設備的自動遠程操作并指示示波器進行數據采集、在界面上復現示波器的測試波形、并對測試波形進行分析、計算,最終得到結果進行顯示和存儲。

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