熱門關鍵詞:晶體管測試儀 晶體管圖示儀 碳化硅器件測試儀 SiC器件測試儀 雙脈沖測試儀 電壓耐量測試設備 門極絕緣柵單元觸發器實驗儀
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適用于SiCFRD,MOSFET(兼容Si基產品)、IGBT模塊、 MOS管(兼容Si基產品)等器件的時間參數測試,是目前國內動態參數測試功能最齊全、性能最先進的測試系統。
測試能力:
IGBT開關時間測試
測試條件: ID:1A~200A, VDS:5V~3500V, VGS:-10V~20V, Rg:1R~100R 可調(可選擇4擋和外接)
負載:阻性,感性負載可切換。
電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R
測試參數:
開通延遲td(on):20Ns – 10uS
關斷延遲時間td(off):20Ns – 10uS、
上升時間tr:20Ns – 10uS
下降時間tf:20Ns – 10uS
開通能量Eon:0.1~1000mJ
關斷能量Eoff:0.1~1000mJ
二極管反向恢復特性測試
測試條件:IF:1A~200A
反向電流VR:5V~3500V
di/dt:100A/us~10000A/us
負載:感性負載可選
電感范圍:100uH、200 uH、500 uH、1000 uH
測試參數: trr:0.1nS -200nS
Qc:1nC~100uC
Irm:1A~200A
Erec:0.1uJ~1mJ
柵極電荷測試
測試條件: VDS:5V~3500V
ID:1A~200A
VGS:-10V~20V
測試參數:
Qgon、Qgd、Qgs:1nC~100uC
Vpl:-10V~20V
短路電流測試
測試條件:Pulse width:1us~100us, VDS:5V~3500V
測試參數: Peak ID:10A~1000A, Delta Vds:10V~200V
控制界面:上位機使用Labview界面開發,該程序體現為人機交互界面,作為測試平臺的交互系統,通過與示波器、主控板等設備通訊,實現對設備的自動遠程操作并指示示波器進行數據采集、在界面上復現示波器的測試波形、并對測試波形進行分析、計算,最終得到結果進行顯示和存儲。
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