熱門關鍵詞:晶體管測試儀 晶體管圖示儀 碳化硅器件測試儀 SiC器件測試儀 雙脈沖測試儀 電壓耐量測試設備 門極絕緣柵單元觸發器實驗儀
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135-7212-5545(杜經理)

- MOS管測試儀設備功能
適用于傳統硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九大類半導體分立器件全靜態參數測試
- MOS管測試儀運行條件
溫度:25±5℃
相對濕度:<60%,在或/低于30℃
通風條件:設備四面距離墻面大于5cm
交流電源:220V±10%,47-63Hz,良好的測試儀器接地
- MOS管測試儀可測試器件種類及參數
1)、二極管:DIODE
測試參數:IR、BVR、VF
2)、晶體管:TRANSISTOR(NPN型/PNP型)
測試參數:ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)
3)、穩壓(齊納)二極管:ZENER
測試參數:IR、VZ、MIN、VZ MAX、VF
4)、結型場效應管:J-FET(N-溝/P-溝,耗盡型/增強型)
測試參數:IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFs
5)、MOS場效應管:POWER MOSFET(N-溝/P-溝)
測試參數:IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON、VF、IDON、VGSON、RDSON、gFs
6)、三端穩壓器:REGULATOR(正電壓/負電壓,固定/可變)
測試參數:VOUT、IIN
7)、光電耦合器:OPTP-COUPLER(NPN型/PNP型)
測試參數:ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF
8)、可控硅整流器(普通晶閘管):SCR
測試參數:IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH
9)、雙向可控硅(雙向晶閘管):TRIAC
測試參數:IDRM、IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+、VT-、I GT 1/2/3/4、VGT 1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-
10)、絕緣柵雙極大功率晶體管:IGBT(NPN型/PNP型)
測試參數:ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF
11)、光電邏輯器件:OPTO-LOGIC
測試參數:IR、VF、VOH、VOL、IFON、IFOFF、ITH+B、ITH-B、ITH+1、ITH-1
12)、雙向觸發二極管:DIAC
測試參數:IR、BVR、VF
13)、固態過壓保護器:SSOVP
測試參數:ID+、ID-、VCLAMP+、VCLAMP-、VT+、VT-、IH+、IH-、IBO+、IBO-、VZ+、VZ-、VT+、VT-
14)、光電開關管:OPTO-SWITCH
測試參數:ICOFF、VD、Notch=IGT1、IGT4、VON=VSAT、ION=IGT1、IGT4、IOFF=IGT1、IGT4
15)、硅觸發開關:STS
測試參數:IH+、IH-、VSW+、VSW-、VPK+、VPK-、VGSW+、VGSW-
16)、繼電器:RELAY
測試參數:RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME、RETIME
17)、金屬氧化物壓變電阻:MOV
測試參數:ID+、ID-、VN+、VN-、VC+、VC-
18)、壓變電阻:VARISTOR
測試參數:ID+、ID-、VC+、VC-
19)、達林頓陣列:DARLINTON
測試參數:ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)
- 外形尺寸
尺寸(mm):600(寬)×800(長)×1900(高)
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