1. MOS管測試儀設備功能

適用于傳統硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九大類半導體分立器件全靜態參數測試

2. MOS管測試儀運行條件

溫度：25±5℃

相對濕度：<60%，在或/低于30℃

通風條件：設備四面距離墻面大于5cm

交流電源：220V±10%，47-63Hz，良好的測試儀器接地

3. MOS管測試儀可測試器件種類及參數

1）、二極管：DIODE

測試參數：IR、BVR、VF

       2)、晶體管：TRANSISTOR(NPN型/PNP型)

           測試參數：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

       3)、穩壓（齊納）二極管：ZENER

           測試參數：IR、VZ、MIN、VZ MAX、VF

       4)、結型場效應管：J-FET(N-溝/P-溝，耗盡型/增強型)

           測試參數：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS、IDSON、RDSON、gFs

       5）、MOS場效應管：POWER MOSFET(N-溝/P-溝)

           測試參數：IDSS、IGSSF、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON、VF、IDON、VGSON、RDSON、gFs

       6）、三端穩壓器：REGULATOR（正電壓/負電壓，固定/可變）

           測試參數：VOUT、IIN

       7）、光電耦合器：OPTP-COUPLER（NPN型/PNP型）

          測試參數：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF

      8)、可控硅整流器（普通晶閘管）：SCR

          測試參數：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH

      9)、雙向可控硅（雙向晶閘管）：TRIAC

          測試參數：IDRM、IRRM、IGKO、VD+、VD-、BVGKO、VT+、VT-、I GT 1/2/3/4、VGT 1/2/3/4、IL+、IL-、IH+、IH-

     10）、絕緣柵雙極大功率晶體管：IGBT（NPN型/PNP型）

          測試參數：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF

     11)、光電邏輯器件：OPTO-LOGIC

          測試參數：IR、VF、VOH、VOL、IFON、IFOFF、ITH+B、ITH-B、ITH+1、ITH-1

     12)、雙向觸發二極管：DIAC

          測試參數：IR、BVR、VF

     13)、固態過壓保護器：SSOVP

          測試參數：ID+、ID-、VCLAMP+、VCLAMP-、VT+、VT-、IH+、IH-、IBO+、IBO-、VZ+、VZ-、VT+、VT-

     14)、光電開關管：OPTO-SWITCH

          測試參數：ICOFF、VD、Notch=IGT1、IGT4、VON=VSAT、ION=IGT1、IGT4、IOFF=IGT1、IGT4

     15)、硅觸發開關：STS

          測試參數：IH+、IH-、VSW+、VSW-、VPK+、VPK-、VGSW+、VGSW-

     16)、繼電器：RELAY

          測試參數：RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME、RETIME

     17）、金屬氧化物壓變電阻：MOV

          測試參數：ID+、ID-、VN+、VN-、VC+、VC-

     18)、壓變電阻：VARISTOR

           測試參數：ID+、ID-、VC+、VC-

     19)、達林頓陣列：DARLINTON

          測試參數：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)

4. 外形尺寸

尺寸（mm）：600（寬）×800（長）×1900（高）